一种单晶炉副室定位销
授权
摘要
本实用新型提供一种单晶炉副室定位销，包括：导向套芯，导向套芯形成为柱状，导向套芯包括第一连接部和第一凸台，第一连接部位于导向套芯的第一端且径向形成有外螺纹，第一凸台在沿着第一连接部外周在径向上向外突出；导向头，导向头可拆卸地套设在第一连接部上，导向头形成有与外螺纹相螺合的内螺纹孔，导向头的一端抵接在第一凸台的靠近第一连接部一侧表面；导向套，导向套可拆卸地套设在导向套芯的第二端。该单晶炉副室定位销通过在导向套芯顶端设置可拆卸的导向头，当使用一段时间后存在磨损的情况下可以进行更换，在节约成本的同时能够保证了衔接处的密封性，提升了该定位销整体的紧密性。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉副室定位销
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120178840.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-01-22
授权号 ：
CN216274457U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
杨超杨西虎孙须良
申请人 ：
曲靖晶龙电子材料有限公司
申请人地址 ：
云南省曲靖市曲靖经济技术开发区光伏一号路以东、南海大道以南
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐颖聪
优先权 ：
CN202120178840.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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