一种功率半导体模块用电极结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体模块用电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020183272.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-19
授权号 ：
CN211629090U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
洪思忠胡羽中
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202020183272.0
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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