一种半导体晶棒熔炼装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体晶棒熔炼装置，包括炉座，所述炉座内腔底部的中心处栓接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴栓接有摆针轮减速机，所述炉座的右侧通过转轴转动连接有控制盒，所述炉座正面的两侧均通过铰链铰接有双开门，所述双开门正面的左侧从上至下依次嵌设有温控器，所述温控器相向的一侧从左至右依次设置有报警开关带灯，所述炉座顶部的两侧均栓接有支架。本实用新型通过控制盒、温控器、报警开关带灯、热电偶和发热管接线盒以及金属波形管的结构配合，可对炉体内部加热管的加热温度进行精准控制，从而使晶棒熔炼的更加充分，增强晶棒的整体熔炼效果，提高晶棒的熔炼质量，避免造成晶棒材料的浪费。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶棒熔炼装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020330660.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN212103067U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
温汉军
申请人 ：
常山县万谷电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市常山县新都工业园区
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宫建华
优先权 ：
CN202020330660.7
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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