一种高压LED芯片结构
授权
摘要
本申请提供一种高压LED芯片结构,所述高压LED芯片结构,包括多个相互绝缘的LED芯粒,以及电性连接LED芯粒,实现多个LED芯粒串联的连接部,其中,连接部包括连接电极和过渡电极,在第一方向上,连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度,而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极,使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小,而非突然发生变化,从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚,造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。
基本信息
专利标题 :
一种高压LED芯片结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020394826.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-25
授权号 :
CN211208474U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
刘英策刘伟邬新根周弘毅黄瑄
申请人 :
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
温可睿
优先权 :
CN202020394826.1
主分类号 :
H01L33/06
IPC分类号 :
H01L33/06 H01L33/62 H01L33/64 H01L33/00 H01L27/15
法律状态
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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