一种高压LED芯片结构
授权
摘要
本申请提供一种高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极，使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小，而非突然发生变化，从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚，造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020394826.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN211208474U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
刘英策刘伟邬新根周弘毅黄瑄
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
温可睿
优先权 ：
CN202020394826.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/62 H01L33/64 H01L33/00 H01L27/15
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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