一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种高压LED芯片，包括衬底和多个间隔设置的发光单元，发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，N型半导体层设于衬底的上方，P型半导体层设于N型半导体层的上方，量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，P电极设于P型半导体层的上方，N电极设于N型半导体层的下方，N电极的下端面与衬底接触，N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减，发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层。本实用新型能提高高压LED芯片发出的光的亮度，提高LED灯的发光性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922054341.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210668407U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
陈宗兴廖宗仁
申请人 ：
东莞佰鸿电子有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市高埗镇高龙东路8号
代理机构 ：
东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何恒韬
优先权 ：
CN201922054341.8
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/38 H01L33/46
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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