一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种高压LED芯片,包括衬底和多个间隔设置的发光单元,发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极,N型半导体层设于衬底的上方,P型半导体层设于N型半导体层的上方,量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间,P电极设于P型半导体层的上方,N电极设于N型半导体层的下方,N电极的下端面与衬底接触,N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减,发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层。本实用新型能提高高压LED芯片发出的光的亮度,提高LED灯的发光性能。
基本信息
专利标题 :
一种高压LED芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922054341.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-25
授权号 :
CN210668407U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
陈宗兴廖宗仁
申请人 :
东莞佰鸿电子有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市高埗镇高龙东路8号
代理机构 :
东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
何恒韬
优先权 :
CN201922054341.8
主分类号 :
H01L33/20
IPC分类号 :
H01L33/20 H01L33/38 H01L33/46
法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载