一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、设于发光结构上的N电极和P电极、连接电极、以及桥接强化层；所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间；所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流。本实用新型通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922292676.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211088296U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
仇美懿庄家铭徐亮
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201922292676.3
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/40 H01L33/00 H01L27/15
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
