一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括n个发光单元，n≥3，n个发光单元依次形成串联连接，n个发光单元均包括连接电极，n个发光单元通过连接电极形成导电连接，第1个发光单元和第n个发光单元还包括打线电极，所述打线电极用于封装打线，n个发光单元的有效发光面积相等。本实用新型每个发光单元的电压相同、亮度相同，高压芯片整体发光均匀，可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921241124.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN210110837U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
赵兵庄家铭仇美懿吴亦容陈凯
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921241124.3
主分类号 ：
H01L33/62
IPC分类号 ：
H01L33/62 H01L25/075
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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