一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，所述发光结构的侧面垂直于所述衬底，设于相邻两个发光结构之间的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述发光结构并延伸至衬底的表面，填充在隔离槽内的填平层，所述填平层由透明不导电材料制成，设于发光结构和填平层上的绝缘层，设于绝缘层上并连接在相邻两个发光结构电极上的桥接电极。本发发光结构的侧面垂直于衬底，从而保证发光结构的发光面积。由于发光结构的侧面垂直于衬底，因此可以缩小隔离槽的宽度，从而减少桥接电极的长度，有效降低芯片的电压和提高芯片的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020197058.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-21
授权号 ：
CN211789017U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
仇美懿庄家铭崔永进
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202020197058.0
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/20 H01L33/62
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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