一种高压LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压LED芯片，其包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于第二半导体层的第一电极和设于第一半导体层的第二电极；第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于第三半导体层的第三电极和设于第四半导体层的第四电极；第三电极和第四电极通过设于切割道的金属薄膜导电连接。本实用新型中通过特殊的结构设计，有效缩减了该种类LED芯片的光刻作业次数，制造成本下降了20‑40％。
基本信息
专利标题 ：
一种高压LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920747346.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN209822673U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
王兵王硕张状邓梓阳庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920747346.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/08 H01L33/36 H01L33/38
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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