一种高压芯片的封装结构
公开
摘要
本发明提供的一种高压芯片的封装结构，包括高压芯片，与所述高压芯片的背面连接的第一铜垫，与第一铜垫连接的第一外引脚，与所述高压芯片的有源面连接的第二外引脚，所述高压芯片与所述第一铜垫之间设有铜薄膜层，所述高压芯片通过所述铜薄膜层与所述第一铜垫连接；设置一包封体，所述高压芯片、第一铜垫、第一外引脚、第二外引脚、铜薄膜层均设置于一包封体内，且所述第一外引脚与所述第二外引脚裸露在所述包封体外表面。
基本信息
专利标题 ：
一种高压芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597197A
申请号 ：
CN202210223912.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张光耀谭小春
申请人 ：
合肥矽迈微电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区习友路3699号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210223912.X
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/485 H01L23/482
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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