一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构
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摘要
本实用新型公开了一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，由管帽和管座构成，其特征在于：所述管座包括面板金属片、散热基座、制冷器散热支撑板、多层高频陶瓷电路基板和倒U形金属压圈；在所述散热基座上设有供制冷器散热支撑板嵌入的嵌入槽，部分制冷器散热支撑板嵌入在所述嵌入槽内并与多层高频陶瓷电路基板的下表面接触，所述多层高频陶瓷电路基板的下表面同时与散热基座接触；所述制冷器散热支撑板未嵌入所述嵌入槽内的部分向管帽方向延伸形成用于装载制冷器的承载平面，所述承载平面与所述管帽的轴线相平行；所述倒U形金属压圈包覆住多层高频陶瓷电路基板的部分外露面，该多层高频陶瓷电路基板向管帽方向延伸形成前端电信号输出/入口部分，在所述多层高频陶瓷电路基板内部印刷有高频信号电路布线和其他互联的电源和信号的布线；所述管帽通过面板金属片与管座连接。
基本信息
专利标题 ：
一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020520164.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN211789980U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
张耐
申请人 ：
南京光通光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市六合区龙池街道虎跃路8号六合经济开发区科创园2号楼3层
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜盈静
优先权 ：
CN202020520164.8
主分类号 ：
H01S5/022
IPC分类号 ：
H01S5/022 H01S5/024
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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