一种对位模块、对位设备及薄膜沉积生产线
授权
摘要
本实用新型公开了一种对位模块、对位设备及薄膜沉积生产线。对位模块包括掩膜架,掩膜架被配置为承载掩膜板,掩膜架通过定位结构定位于外部设备,并与外部设备可拆卸连接;压板组件,活动设置于掩膜架一侧,压板组件能够压紧对位后的基片与掩膜板;磁吸组件,磁吸组件包括分别设置于掩膜架上的第一磁吸件,以及设置于压板组件上的第二磁吸件;压板组件压紧对位后的基片与掩膜板后,第一磁吸件压紧于压板组件,并与第二磁吸件相互吸合,以使被压紧后的基片与掩膜板贴合。本实用新型中的对位模块能够携带对位后的基片和掩膜板被单独移动和转运,且在转运过程中,对位模块能够保证对位后基片和掩膜板的位置精度。
基本信息
专利标题 :
一种对位模块、对位设备及薄膜沉积生产线
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020759745.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-09
授权号 :
CN213624342U
授权日 :
2021-07-06
发明人 :
黄稳武启飞廖良生虞强龙张敬娣高永喜李涛朱宏伟陈奇李鹏飞
申请人 :
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN202020759745.7
主分类号 :
C23C14/04
IPC分类号 :
C23C14/04 C23C14/54 C23C14/24 C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物
法律状态
2021-07-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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