本实用新型公开了一种半导体SiC功率模块在衬底上的排布结构，本结构包括衬底和半导体SiC功率模块的上桥芯片、下桥芯片，所述衬底上沿设有功率模块的正负输入端子、下沿设有电机相输出端子，所述上桥芯片沿Y方向呈双列间隔设于所述衬底中央区域，所述下桥芯片成两列间隔设于所述衬底两侧区域并且位于所述上桥芯片的两侧，并且X方向相邻上桥芯片与下桥芯片错位布置。本结构通过优化多芯片的布局，保证了芯片从X方向和Y方向的传导散热空间，提高了芯片的散热能力，增大半导体SiC功率模块的电流载流能力。