基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构
授权
摘要
本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，包括三相DBC结构，所述三相DBC结构的外部固定有框架，所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片，三相DBC结构的背面直接焊接在散热器上，三相DBC结构中的各芯片之间相互连接，三相DBC结构直流端子处连接有叠层母排。本申请的三相DBC直接焊接到散热器上，这种工艺比传统工艺少了一层基板，极大的降低了热阻，提高了功率密度；同时这种工艺便于自动化实现，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020989391.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN211879383U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
田绍据严明会秦潇峰胡强蒋兴莉王思亮
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202020989391.5
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/367 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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