一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，包括：由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域，所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构；在所述边缘深结区域中，所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第一层结构加厚成为边缘深结结构。本实用新型的晶圆芯片结构优化了芯片的边缘终端结构，使得如GCT晶圆芯片达到高阻断电压等级同时，对其他性能的影响降到最低。
基本信息
专利标题 ：
一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021141255.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN212161819U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
曾嵘任春频刘佳鹏陈政宇余占清赵彪
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202021141255.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/745
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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