一种抗干扰的厚膜集成电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗干扰的厚膜集成电路，包括陶瓷基壳，所述陶瓷基壳是由陶瓷下基体和陶瓷基帽构成，所述陶瓷下基体的内侧壁设置有抗干扰金属内层一，所述抗干扰金属内层一的顶端设置有厚膜陶瓷基片，所述厚膜陶瓷基片的顶端设置有厚膜集成电路，所述厚膜集成电路的两端分别均设置有金属引脚，所述厚膜集成电路的顶端设置有若干散热片一，所述散热片一的顶端设置有卡套，所述卡套的内部设置有导热硅胶，所述卡套的顶端设置有散热片二，所述陶瓷基帽的内侧壁设置有抗干扰金属内层二。有益效果：使得厚膜集成电路具有较好的抗干扰抗腐蚀性能，同时使得厚膜集成电路具有较好的散热型，有效提高厚膜集成电路的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种抗干扰的厚膜集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021197194.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212230425U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
黄伟聪陈保青冯嘉俊
申请人 ：
广东天泓新材料科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市顺德区大良街道办事处五沙社区新凯路7号科盈国际工业园
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021197194.6
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/08 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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