一种保持硅晶片干燥的光刻机
授权
摘要
本实用新型涉及光刻机设备领域，尤其涉及一种保持硅晶片干燥的光刻机。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够持续对光刻机内部工作台周围进行干燥避免硅片存在水汽而影响光刻效果的光刻机。一种保持硅晶片干燥的光刻机，包括有整体外壳、工件传输装置、激光光路设备、掩模台、掩模板、投影物镜、控制台和芯片；工件传输装置固接于整体外壳外壁；掩模传输设备固接于整体外壳内侧壁；激光光路设备固接于整体外壳；掩模台固接于激光光路设备底部；掩模板夹于激光光路设备与掩模台之间；投影物镜固接于掩模台底部。本实用新型达到了能够持续对光刻机内部工作台周围进行干燥避免硅片存在水汽而影响光刻效果的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种保持硅晶片干燥的光刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021382119.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212569419U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
李俊毅
申请人 ：
福建安芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇院前村2号
代理机构 ：
泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
易敏
优先权 ：
CN202021382119.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 F26B3/30 F26B23/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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