一种半导体材料结晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体材料结晶炉，包括结晶炉主体、第一盖体、控制面板、分隔机构和防误触机构，所述第一盖体可安装在结晶炉主体的前侧左端，所述控制面板可设置在结晶炉主体的前侧右端，所述分隔机构可装配在结晶炉主体的一侧，所述防误触机构可装配在结晶炉主体的另一侧。该半导体材料结晶炉可通过分隔机构将多种材料分隔开来，通过防误触机构将控制面板遮盖起来，该装置具有防误触和分隔功能，既保证了材料加工的质量，又保证了材料加工的顺利完成，使用灵活，实用性强，满足现有市场上的使用需求。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体材料结晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021610603.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN213507293U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
正芯半导体技术（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦A座3104
代理机构 ：
广州德伟专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄浩威
优先权 ：
CN202021610603.0
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN213507293U.PDF
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