半导体器件及硅光电倍增器
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件及硅光电倍增器。半导体器件具体为成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。在成像设备(诸如硅光电倍增器)中将SPAD靠近放置在一起可具有有益效果诸如改善的灵敏度。然而，随着SPAD变得更靠近在一起，SPAD可能变得易受串扰的影响。由于动态范围减小和信号精度降低，串扰通常是不期望的。为了减少串扰，电容器或其他部件可耦接在相邻SPAD之间。当在给定SPAD上发生雪崩时，偏压电压可降低到低于击穿电压。电容器可在相邻SPAD上引起对应电压降。相邻SPAD上的电压降降低了该SPAD的过偏压，从而降低了SPAD的灵敏度并因此减少了串扰发生的机会。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及硅光电倍增器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021741009.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN212693089U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
布莱恩·帕特里克·麦加维达里乌斯·皮奥特·帕鲁比克
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琳
优先权 ：
CN202021741009.5
主分类号 ：
G01J11/00
IPC分类号 ：
G01J11/00 H01L31/107 H01L27/146
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J11/00
测量单个光脉冲或光脉冲序列的特性
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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