氢氪酸气相蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型公开了氢氪酸气相蚀刻设备，具体涉及蚀刻技术领域，包括储液盒，所述储液盒内壁活动套有储液器；本实用新型的微型真空泵可通过隔热气管使多个吸盘内形成真空，使多个吸盘可对不同大小的晶片进行夹持与固定，当遇到一些较大的晶片后，第一电动伸缩杆和第二电动伸缩杆伸长会使四个压片压住晶片，对晶片进行物理夹持，在蚀刻时第一电动伸缩杆和第二电动伸缩杆会轮流进行缩短，使相应电动伸缩杆的压片离开晶片，从而既不会影响到对晶片的夹持，也不会使晶片部分区域被遮挡而无法受到氢氪酸的蚀刻，整体上还可通过物理夹持和吸盘固定的两种方式来提高对晶片的夹持效果，也提高了设备的实用性。
基本信息
专利标题 ：
氢氪酸气相蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021811542.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN212342582U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
毛润泽黄大勇李天宝汪晓虎
申请人 ：
泰晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省随州市曾都经济开发区交通大道1131号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021811542.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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