一种适用于单晶硅片切割损伤层去除的生产线
授权
摘要
本实用新型公开了一种适用于单晶硅片切割损伤层去除的生产线，其特征在于它包括氧化工位和清洗工位，硅片(2)在氧化工位中实现损伤层的氧化，在清洗工位中实现氧化物的清洗。采用本实用新型提供的生产线，可以选择性的氧化硅片表面损伤层并去除；同时可以降低制绒减重，在制绒阶段，只需要形成绒面即可。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于单晶硅片切割损伤层去除的生产线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021887691.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
CN212725341U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
马擎天朱军何秋霞曾玉莲
申请人 ：
环晟光伏（江苏）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区文庄路20号
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
刘畅
优先权 ：
CN202021887691.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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CN212725341U.PDF
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