本发明公开了一种单晶硅片切割方法，包括如下步骤：步骤一、将硅锭固定在超声振动辅助锯切加工设备的载物台上；步骤二、设定切削参数；其中，所述切削参数包括：载物台的运动速度、切割机主轴转速、锯片进给速度、切削深度、超声振动频率和振幅；步骤三、开切削液，对所述硅锭进行切削加工；其中，所述切削液的组成成分为：10％～30％Al₂O₃、0.5％～1.5％溴化二甲基苄基十二烷基铵、1％～3％柠檬酸，余量为水；步骤四、将切削得到的单晶硅片进行清洗后得到成品。本发明提供的单晶硅片切割方法，通过辅助超声振动和合理设置切削液成分，能够改善硅片质量，获得光滑平整的单晶硅片；本发明同时还能够提高单晶硅片切割加工的效率。