高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器

授权

摘要

本实用新型提出了一种高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器，所述像素结构为前照式结构，其包括多个像素组；单个像素组内包括多个单光子雪崩电路结构、处理电路及浅隔离层；处理电路围绕在多个单光子雪崩电路结构外围，相邻的单光子雪崩电路结构之间由浅隔离层隔离，浅隔离层隔离处理电路与单光子雪崩电路结构；同一像素组内单光子雪崩电路结构共用一DNW或DPW。将多个SPAD组成一像素组，同一像素组内的多个SPAD共用一个DNW或DPW，并且共用外围的处理电路，结构紧凑，面积可大幅缩小，且无需太多面积和空间满足DNW或DPW的设计规则，便于将像素间距缩小，从而实现像素阵列的高分辨率。

基本信息

专利标题：

高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021920586.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-04

授权号：

CN212783453U

授权日：

2021-03-23

发明人：

东尚清

申请人：

上海大芯半导体有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路200号2幢3层

代理机构：

上海启核知识产权代理有限公司

代理人：

赵祖祥

优先权：

CN202021920586.0

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 G01S17/894 G01S17/10 G01S7/4863 G01S7/481