距离传感器像素阵列结构及距离传感器
授权
摘要
本实用新型揭示了一种距离传感器像素阵列结构及距离传感器。距离传感器像素阵列结构包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括单光子雪崩二极管，相邻所述像素单元分时工作，由此在工作时，可以分时段依次开启相应位置的单光子雪崩二极管，则在某个像素单元工作时，它上下左右相邻的像素单元都处于非工作状态，则串扰很难达到另一个正在工作状态的像素单元，使得串扰情况得以改善，而且，也不会产生误触发；基于此，本实用新型实现了相邻像素间距得以缩小，从而能够大大提高分辨率。
基本信息
专利标题 ：
距离传感器像素阵列结构及距离传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021947951.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN213124441U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
东尚清
申请人 ：
上海大芯半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路200号2幢3层
代理机构 ：
上海启核知识产权代理有限公司
代理人 ：
王仙子
优先权 ：
CN202021947951.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01S7/481 G01S7/4865 G01S17/08
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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