反极性发光二极管芯片
授权
摘要
公开了一种反极性发光二极管芯片，依次包括第二衬底，键合层，反射镜层，全方位反射镜结构，外延层和第一电极，还包括：多个扩展电极，多个所述扩展电极与所述第一电极连接，位于所述发光二极管的出光面，多个所述扩展电极沿第一轴对称式分布。本实用新型提供的反极性发光二极管芯片，通过在出光面设置多个对称均匀分布的扩展电极，从而保证在合适的欧姆接触比下，提高电流扩展效果。
基本信息
专利标题 ：
反极性发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022075677.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN213184331U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
黄庆欧秀玲王亚宏章旋梁志阳
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202022075677.5
主分类号 ：
H01L33/36
IPC分类号 ：
H01L33/36 H01L33/38
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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