一种晶片等离子CMP抛光的装置
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摘要
一种晶片等离子CMP抛光的装置，属于抛光装置领域。本实用新型解决了现有的CMP抛光装置抛光平坦度差，操作繁琐的问题。本实用新型包括装载机构、抛光机构和加热筒，装载机构布置在抛光机构上方，加热筒安装在抛光机构上；所述装载机构包括可移动载晶片头、抽真空口、晶片旋转电机、等离子阴极片、载晶片软膜和晶片，可移动载晶片头底部安装有晶片旋转电机，晶片旋转电机上安装有等离子阴极片，载晶片软膜放置在等离子阴极片上，载晶片软膜用于放置晶片，在可移动载晶片头上开有抽真空口；所述抛光机构包括环形抛光垫、抛光垫支撑板和支撑电旋转电机，环形抛光垫放置在抛光垫支撑板上方，抛光垫支撑板的底部安装有支撑电旋转电机。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片等离子CMP抛光的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022103892.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
CN213004167U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街香缇雅诺博睿之星孵化器
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立岩
优先权 ：
CN202022103892.1
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B41/06 B24B37/30 B24B37/10
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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