一种绝缘栅双极晶体管终端
授权
摘要
本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管终端。该绝缘栅双极晶体管终端包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层；以及与所述第一表面相对的场截止层；所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间；所述浮动环与所述主结的间距为预设间距，所述预设间距用于使所述绝缘栅双极晶体管的击穿位置在所述浮动环上。采用本申请提供的绝缘栅双极晶体管终端，可以使得在测试FS‑IGBT的击穿电压时，击穿电流的击穿位置位于浮动环上，从而可以避免由于snap‑back现象导致的测试失败的情况，可以有效提高测试效率。
基本信息
专利标题 ：
一种绝缘栅双极晶体管终端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022416606.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213150781U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
尹江龙章剑锋向军利
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵秀芹
优先权 ：
CN202022416606.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
