一种等离子体增强化学气相沉积处理方法被提供并且其包含：在衬底的等离子体增强化学气相沉积处理之前以及对所述处理的准备中，将喷头预热至预热状态；在预热所述喷头的同时，确定所述喷头的至少一个温度；基于所述至少一个温度，确定是否继续预热所述喷头；响应于所述至少一个温度满足温度标准，停止预热所述喷头；以及当所述喷头处于所述预热状态时，启动所述等离子体增强化学气相沉积处理以将配置在所述衬底上的先前制造的集成电路封装，其中所述等离子体增强化学气相沉积处理包含：在所述集成电路上方形成一层或更多层膜保护层。