一种等离子体增强化学气相沉积装置
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摘要

本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括用于气相沉积的反应腔,所述反应腔上方的微波源反应器,所述反应腔中部设置有样品台,所述样品台设置在升降装置上,所述升降装置底端固定在密封板上,所述密封板设置在样品台出入口处,所述密封板底端固定在在驱动板上,所述驱动板的左、右两侧设置有液压驱动装置,所述液压驱动装置包括伸缩杆,所述两侧的伸缩杆底端分别固定在驱动板侧面,所述驱动板下方设置有取样室,所述取样室的左右两侧分别设置有吹扫装置和吸附网,所述吸附网可拆卸的设置在取样室的侧壁上,本实用新型取样方便,使用便捷,从下方取样不会损坏上部的等离子体发生装置等,而且取样过程中外延生长环境清洁无污染。

基本信息
专利标题 :
一种等离子体增强化学气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020553872.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-15
授权号 :
CN212051640U
授权日 :
2020-12-01
发明人 :
姜兴辉纪海瑞曲红杰白晓磊林延春
申请人 :
大连诺豪联恒电子科技有限公司
申请人地址 :
辽宁省大连市自由贸易试验区大连经济技术开发区生命二路39-13-5号1-3层
代理机构 :
沈阳天赢专利代理有限公司
代理人 :
陈贞
优先权 :
CN202020553872.1
主分类号 :
C23C16/511
IPC分类号 :
C23C16/511  C23C16/458  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/511
采用微波放电
法律状态
2020-12-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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