用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法
公开
摘要
一种用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法。极紫外线(EUV)微影装置包括晶圆台，及用于清洁用于极紫外线微影装置的晶圆的颗粒移除组件。晶圆台包括量测侧及曝光侧。颗粒移除组件包括颗粒移除电极、排气元件及涡轮分子泵。颗粒移除电极用以通过抑制湍流而导向来自腔室的碎片，使得碎片可自晶圆台被排出至处理装置之外。在一些实施例中，关断在晶圆台的量测侧中的涡轮分子泵，以使得排气流可被导引至晶圆台的曝光侧。在一些实施例中，调整针对晶圆卡盘的电极的电压升高的速度。
基本信息
专利标题 ：
用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114308959A
申请号 ：
CN202110089445.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-01-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈道信陈立锐李佳祐
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110089445.1
主分类号 ：
B08B11/00
IPC分类号 ：
B08B11/00 G03F7/20
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B11/00
专门适用于清洁柔韧的或精致的物品的方法或装置
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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