一种热处理腔室
授权
摘要
本实用新型公开了一种热处理腔室，包括上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；加热部件，设置于上腔室中，用于加热待加工基片；基片支撑部件，设置于下腔室中，用于支撑待加工基片；基片传输口，位于下腔室的侧壁上，用于将基片传入或传出下腔室；反射板，通过升降机构可移动地贴合于下腔室的内壁，随着反射板的上下移动基片传输口被反射板遮挡或完全暴露于下腔室中。本实用新型的有益效果在于：通过在下腔室中设置反射板，使反射板遮挡基片传输口，使下腔室的内部相对于基片是周向对称的结构，为基片的加工提供了一个对称的工艺环境，提升了基片的去气效果。
基本信息
专利标题 ：
一种热处理腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921343299.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN210575852U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
艾宴清
申请人 ：
深圳信息职业技术学院
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道2188号
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立君
优先权 ：
CN201921343299.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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