一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途
授权
摘要
本发明提供一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途，所述碳碳化硅靶材的制备方法通过将碳粉和碳化硅粉混合后经两次球磨，并在二次球磨之间进行干燥处理，后续再经装模、烧结和冷却，得到所述碳碳化硅靶材。所述制备方法的制备工艺简单，且二次球磨结合烧结工艺能够制得致密度≥99.0％的碳碳化硅靶材。所得碳碳化硅靶材的微观组织均匀致密且靶材溅射性能优良，应用在3D打印或热敏打印等领域可有效提高打印设备工作效率及使用寿命，应用前景广阔。
基本信息
专利标题 ：
一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113004040A
申请号 ：
CN202110199569.5
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-22
授权号 ：
CN113004040B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
姚力军边逸军潘杰王学泽杨慧珍
申请人 ：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
王岩
优先权 ：
CN202110199569.5
主分类号 ：
C04B35/52
IPC分类号 ：
C04B35/52 C04B35/565 C04B35/622 B33Y30/00 B41J2/335
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/52
以碳为基料的，例如石墨
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/52
申请日 : 20210222
申请日 : 20210222
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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