一种深紫外探测器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种深紫外探测器件，包括由下至上依次叠置的衬底、AlN成核层、n型β相Ga2O3层、β相Ga2O3/AlxInyGa1‑x‑yO活性层、p型β相Ga2O3层、p型金刚石薄膜层、碳纳米管薄膜透明导电层和氟化物保护层，在所述n型β相Ga2O3层上引出n型欧姆电极，在所述碳纳米管薄膜透明导电层上引出p型欧姆电极。本发明还公开了这种深紫外探测器件的制备方法。本发明深紫外探测器件有助于提高探测器对微弱深紫外信号的响应度，降低光子传输的能量损耗，提高器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种深紫外探测器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361283A
申请号 ：
CN202110249649.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王书昶娄祎祎刘玉申丁恒胡娇燕谢超群
申请人 ：
常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张俊范
优先权 ：
CN202110249649.7
主分类号 ：
H01L31/102
IPC分类号 ：
H01L31/102 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/024 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/102
申请日 : 20210308
申请日 : 20210308
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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