FinFET器件及方法
实质审查的生效
摘要
本公开总体涉及FinFET器件及方法。一种器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠，在鳍之上；间隔件，在栅极堆叠的侧壁上；源极/漏极区域，在鳍中与间隔件相邻；层间电介质层(ILD)，在栅极堆叠、间隔件和源极/漏极区域之上延伸；接触插塞，延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域；电介质层，包括位于ILD的顶表面上的第一部分以及在ILD和接触插塞之间延伸的第二部分，其中，第二部分的顶表面比ILD的顶表面更靠近衬底；以及气隙，在间隔件和接触插塞之间，其中，电介质层的第二部分密封气隙的顶部。
基本信息
专利标题 ：
FinFET器件及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551400A
申请号 ：
CN202110307154.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何彩蓉李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202110307154.5
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/768 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20210323
申请日 : 20210323
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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