器件和用于制造器件的方法

授权

摘要

本发明涉及一种器件（100），具有：第一组件（1）；第二组件（2）；连接元件（3），其直接布置在第一组件（1）和第二组件（2）之间，其中该连接元件（3）至少具有第一金属（Me1），该第一金属被成型为粘接层（4），该粘接层直接布置在第一组件（1）和/或第二组件（2）上，第一金属被成型为扩散垒（5），第一金属是连接元件（3）的第一物相（31）和/或第二物相（32）的组成部分，其中第一和/第二物相（31,32）除了第一金属（Me1）之外还分别具有与该第一金属不同的另外的金属，其中第一金属（Me1）在第一物相（31）中的浓度（c11）大于第一金属（Me1）在第二物相（32）中的浓度（c25）。

基本信息

专利标题：

器件和用于制造器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108352373A

申请号：

CN201680062454.9

公开（公告）日：

2018-07-31

申请日：

2016-08-23

授权号：

CN108352373B

授权日：

2022-04-08

发明人：

B.贝尔M.温特M.岑格

申请人：

奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

申请人地址：

德国雷根斯堡

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张涛

优先权：

CN201680062454.9

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L21/60 H01L33/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

H01L23/485

包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2018-08-24 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20160823

2018-07-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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