用于半导体器件的互连结构
实质审查的生效
摘要
一种形成半导体器件的方法，包括：在第一电介质层中形成第一导电特征，第一电介质层设置在衬底之上；在第一电介质层之上形成第二电介质层；使用经图案化的掩模层来蚀刻第二电介质层，以在第二电介质层中形成开口，其中，该开口使第一导电特征暴露；在蚀刻后，执行灰化工艺以去除经图案化的掩模层；在灰化工艺之后对开口进行湿法清洁，其中，该湿法清洁使开口的底部部分扩大；以及用第一导电材料来填充开口。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334804A
申请号 ：
CN202110656489.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-06-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王柏荃陈冠亘洪嘉阳潘升良林焕哲
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨佳婧
优先权 ：
CN202110656489.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210611
申请日 : 20210611
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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