半导体装置的制造方法和热板
公开
摘要
本发明涉及半导体装置的制造方法和热板。提高保护薄膜对半导体晶圆的密合性，并且提高生产率。半导体装置(1)的制造方法包括：对半导体晶圆(1)的背面中央进行磨削而在半导体晶圆的外周缘形成厚度比中央厚的环状的肋部(11)的肋部形成工序；在半导体晶圆的背面粘贴第1保护薄膜(14)的背面薄膜粘贴工序；以覆盖第1保护薄膜的外周缘和肋部的外周的方式粘贴第2保护薄膜(15)的外周薄膜粘贴工序；使半导体晶圆的背面与热板的加热面相对配置而利用热板(2)直接加热第1保护薄膜和第2保护薄膜的加热工序；以及对半导体晶圆的表面施加镀敷处理的镀敷工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法和热板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496723A
申请号 ：
CN202111010417.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桥本孝一田中俊介高桥裕也
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111010417.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
