成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种在抑制对蒸镀工艺的影响和吸附板的吸附力的降低的同时检测向吸附板吸附基板的吸附状态的成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：吸附板，其吸附并保持基板；对准部件，其进行吸附于吸附板的基板与掩模的对准；成膜部件，其经由掩模在基板上成膜；以及检测部件，其设置于吸附板，检测与基板的接触。检测部件包括通过与基板接触而位移的触头。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置、基板吸附方法及电子器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318220A
申请号 ：
CN202111113640.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石井博上田利幸冈本直次郎唐泽拓郎
申请人 ：
佳能特机株式会社;株式会社沙迪克
申请人地址 ：
日本新泻县
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
韩卉
优先权 ：
CN202111113640.X
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/12 C23C14/24 C23C14/34 C23C14/50 C23C14/54 C23C16/04 C23C16/458 C23C16/52 H01L51/00 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20210923
申请日 : 20210923
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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