基板的处理方法、电子器件的制造方法和程序
授权
摘要
本发明提供一种基板的处理方法，该基板具有含碳的低介电常数绝缘膜，该低介电常数绝缘膜具有碳浓度降低的表面损伤层，其包括：将所述表面损伤层在规定压力下暴露于含有氨和氟化氢的混合气体的气氛中的表面损伤层暴露步骤；以及将暴露于所述混合气体气氛中的表面损伤层加热到规定温度的表面损伤层加热步骤。
基本信息
专利标题 ：
基板的处理方法、电子器件的制造方法和程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822326A
申请号 ：
CN200610007477.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西村荣一岩﨑贤也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610007477.8
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2009-07-22 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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