包括凸块下金属化焊盘的半导体封装件及其制造方法
公开
摘要
提供了一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；UBM焊盘，其位于下钝化层上，并且包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面处的水平长度大于在其下表面处的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；以及外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，其中，种子层包括覆盖上焊盘的侧表面的第一种子部分、覆盖上焊盘的下表面的一部分的第二种子部分以及覆盖下焊盘的侧表面的一部分的第三种子部分。
基本信息
专利标题 ：
包括凸块下金属化焊盘的半导体封装件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551393A
申请号 ：
CN202111121406.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李在彦朱昶垠崔圭振
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111121406.1
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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