TVS芯片及其生产方法
授权
摘要
本发明提供一种TVS芯片及其生产方法，涉及半导体领域。本发明通过硅衬底清洗后进行氧化，形成氧化膜；氧化膜表面涂覆光刻胶，采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除，形成开沟区；将开沟后的硅衬底放入腐蚀液，形成浅沟；去光刻胶，对硅衬底进行清洗；硅衬底表面附扩散源，浅沟内被扩散，形成外层深结层；去除氧化膜，并清洗硅衬底；硅衬底表面区域附上扩散源，所有区域被扩散，形成内层浅结层。本发明因为两次扩散形成了两个PN结层，外层的深结可以保护内层的浅结，从而有效加强PN结保护和降低晶格缺陷污染的能力，降低漏电流。同时，通过浅沟对扩散源进行定位，能方便后续操作，方便生产。
基本信息
专利标题 ：
TVS芯片及其生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114038900A
申请号 ：
CN202111139076.9
公开（公告）日 ：
2022-02-11
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
CN114038900B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
汪良恩李建利汪曦凌
申请人 ：
安徽芯旭半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市经济开发区凤凰大道98号
代理机构 ：
北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
翟丽红
优先权 ：
CN202111139076.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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