集成电路装置
公开
摘要
一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。
基本信息
专利标题 ：
集成电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334879A
申请号 ：
CN202111180685.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴正敏林汉镇金海龙朴瑛琳赵哲珍
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111180685.9
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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