电力用半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明的技术的目的在于抑制电力用半导体装置的耐压下降。半导体基体(11)具有：n‑型的半导体基板(3)；以及至少1个p型扩散层(4)，其在终端区域(2)处的半导体基板(3)的第1主面(S1)侧的表层彼此分离地形成。电力用半导体装置(101)具有在绝缘膜(5、15)之间的半导体基体(11)的第1主面(S1)之上形成的至少1个绝缘膜(25)。半绝缘膜(8)在绝缘膜(25)之上与绝缘膜(25)接触，在绝缘膜(5、15)之间的未形成绝缘膜(25)的至少大于或等于2个区域与第1主面(S1)接触。
基本信息
专利标题 ：
电力用半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388611A
申请号 ：
CN202111203053.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原口友树增冈史仁陈则
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111203053.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211015
申请日 : 20211015
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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