用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置
公开
摘要
本发明涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置，揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位线耦合到第一非易失性存储器元件的第一电极和第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合到第三非易失性存储器元件的第一电极。
基本信息
专利标题 ：
用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613803A
申请号 ：
CN202111286472.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·J·J·洛R·K·莱迪陈学深
申请人 ：
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡，新加坡城
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111286472.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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