一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件...
实质审查的生效
摘要
一种基于BZT‑BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，存储单元以叠层结构的磁电薄膜为介质，外加电场改变铁电层的极化状态通过磁电耦合效应影响铁磁层的磁化状态而实现电场控制电阻状态，写入媒介是电场，存储媒介是铁磁层的电阻状态，电阻状态的改变基于BZT‑BCT和Fe65Co35之间的应力应变机制的磁电效应，本发明采用具有大压电系数的BZT‑BCT和大磁致伸缩效应的Fe65Co35叠层制备存储元件有利于电致电阻转变效应的获得，同传统的非易失性存储器相比，具有功耗小、读写速度快的优点。并且利用磁控溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284427A
申请号 ：
CN202111362156.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩叶梅马美冰尹鑫曹海兴孙正王芳张楷亮
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区滨水西道391号
代理机构 ：
天津佳盟知识产权代理有限公司
代理人 ：
李淑惠
优先权 ：
CN202111362156.0
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12 C23C14/08 C23C14/35 C23C14/46 C23C14/14
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20211117
申请日 : 20211117
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
