一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及...
实质审查的生效
摘要
一种基于PMN‑PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，小尺寸FeCo铁磁薄膜的制备是利用离子束沉积结合光刻工艺在PMN‑PT单晶衬底上掩模特定的图形；将PMN‑PT单晶压电衬底和Fe65Co35合金靶材置入溅射室，利用离子束溅射制备铁磁薄膜。本发明得到的磁电存储元件同传统的非易失性存储器相比，磁电存储器件具有功耗小、读写速度快的优点，对于满足未来存储器件的实际需求具有重要的意义。利用离子束溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284428A
申请号 ：
CN202111362349.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩叶梅马美冰尹鑫曹海兴孙正王芳张楷亮
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区滨水西道391号
代理机构 ：
天津佳盟知识产权代理有限公司
代理人 ：
李淑惠
优先权 ：
CN202111362349.6
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12 C23C14/04 C23C14/18 C23C14/46
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20211117
申请日 : 20211117
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
