具有集成的电流传感器的半导体器件
公开
摘要
本文描述一种功率半导体器件和相应的制作方法。该半导体器件包括：功率器件区，形成在半导体衬底中并且包括彼此平行地纵向延伸的第一沟槽和第二沟槽，其中，半导体台面在所述沟槽中的相邻沟槽之间，每个第一沟槽包括处于第一电位的栅电极，并且每个第二沟槽包括处于第二电位的场板；以及电流感测区，形成在半导体衬底中。第一沟槽的子集、第二沟槽的子集和半导体台面的子集对于电流感测区和功率器件区两者是公共的。第二沟槽沿电流感测区的相对的第一侧和第二侧中断，使得场板在功率器件区和电流感测区之间中断。
基本信息
专利标题 ：
具有集成的电流传感器的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551587A
申请号 ：
CN202111410819.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·戴内斯G·辛纳F·沃尔特
申请人 ：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202111410819.1
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/40 G01R31/26
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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