半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜
公开
摘要
本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的半导体晶圆搭载用基材在‑15℃下的断裂伸长率为300％以上、并且在‑15℃下的断裂强度为20N以上。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114573909A
申请号 ：
CN202111420045.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中浦宏宍户雄一郎杉村敏正高本尚英
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111420045.0
主分类号 ：
C08L23/10
IPC分类号 ：
C08L23/10 C08L23/08 C08J5/18 C09J7/29 C09J133/08 C09J163/00 C09J133/00 C09J161/06 C09J11/04 B32B27/08 B32B27/32 B32B27/30 H01L21/683
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L23/00
只有1个碳-碳双键的不饱和脂族烃的均聚物或共聚物的组合物，此种聚合物的衍生物的组合物
C08L23/02
未用化学后处理改性的
C08L23/10
丙烯的均聚物或共聚物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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