具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法
公开
摘要
本公开的各实施例涉及具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离；在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。
基本信息
专利标题 ：
具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561705A
申请号 ：
CN202111421201.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·安扎隆F·拉维亚
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄海鸣
优先权 ：
CN202111421201.5
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B25/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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