金刚石半导体系统及方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及金刚石半导体系统及方法。在此披露了一种用于制造金刚石半导体的新型且改良的系统以及方法。该系统可包括具有n型供体原子(306)和金刚石晶格(304)的一种金刚石材料(200)，其中在100kPa和300K，这些供体原子(306)的0.16％将迁移率大于770cm2/Vs的传导电子提供至该金刚石晶格(304)。制造金刚石半导体的方法(100)可包括以下步骤：选择一种具有金刚石晶格(304)的金刚石材料(200)；将最小量受体掺杂原子引入至该金刚石晶格(304)中，以建立离子轨道；将置换掺杂原子通过这些离子轨道引入至该金刚石晶格(304)中；并且退火该金刚石晶格(304)。
基本信息
专利标题 ：
金刚石半导体系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420747A
申请号 ：
CN202111546963.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2012-07-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亚当·卡恩
申请人 ：
阿克汗技术有限公司
申请人地址 ：
美国伊利诺斯州
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张瑞
优先权 ：
CN202111546963.8
主分类号 ：
H01L29/16
IPC分类号 ：
H01L29/16 H01L29/868 H01L21/22 H01L21/329 H01L21/265
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/16
申请日 : 20120720
申请日 : 20120720
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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